|
サイトウ オサム
Osamu Saito
齋藤 理 所属 追手門学院大学 理工学部 機械工学科 職種 講師 |
|
| 言語種別 | 日本語 |
| 発行・発表の年月 | 2010/08 |
| 形態種別 | 論文 |
| 査読 | 査読あり |
| 標題 | 集積したAuナノ構造における増強赤外吸収スペクトルの電磁場解析 |
| 執筆形態 | 共著・編著(代表編著を除く) |
| 掲載誌名 | 電気学会論文誌A(基礎・材料・共通部門誌) |
| 掲載区分 | 国内 |
| 出版社・発行元 | Institute of Electrical Engineers of Japan (IEE Japan) |
| 巻・号・頁 | 130(8),733-738頁 |
| 総ページ数 | 6 |
| 担当区分 | 筆頭著者 |
| 著者・共著者 | 齋藤 理,長尾 忠昭,Dominik Enders |
| DOI | 10.1541/ieejfms.130.733 |
| ISSN | 0385-4205/1347-5533 |
| PermalinkURL | http://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/130/8/130_8_733/_pdf |